Rambler's Top100
ВНИМАНИЕ: новую версию POLYGLOSSUM см. на наших новых страницах
Новая версия программы, больше выбор словарей
Поиск Прайс-лист Новости Download Главная страница
Обратная связь Ответы на вопросы Что такое Доставка по Интернет?
КОРЗИНАПосмотреть содержимое корзины
69. Полупроводниковые приборы. Терминология.


Главный редактор издания профессор Я.А. Федотов

Электронное издание, М.- Издательство "ЭТС", 2001.
Бумажное издание: Отв. ред. проф. Я.А. Федотов, вып.69. М.,Терминологическая Комиссия АН СССР, стр.50, терм.181 (на русском, английском, немецком, французском языках; расширенные толкования на русском языке)

Оплата через Сбербанк
доставка только по России

Цена: 160.00 руб.

Доставка по всему миру
Цена: $12.90


О книжном издании
АКАДЕМИЯ НАУК СССР
КОМИТЕТ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ ТЕРМИНОЛОГИИ
Сборники рекомендуемых терминов
Выпуск 69
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Терминология
Основные понятия. Физические элементы полупроводниковых приборов. Виды полупроводниковых приборов. Явления в полупроводниковых приборах

Представленная в настоящем сборнике терминология составляет систему терминов и определений понятий, применяемых в научной и учебной литературе, касающейся полупроводниковых приборов. Однако надо иметь в виду, что эта терминология не охватывает всех понятий, которые применяются в литературе и практике. С учетом поступивших по проекту замечаний и предложений было признано нецелесообразным включать, в частности, некоторые понятия, еще не установившиеся и требующие дополнительного изучения и уточнения. Так как наука о полупроводниках и полупроводниковых приборах находится в процессе развития и формирования, соответствующая терминология также непрерывно развивается, уточняется и совершенствуется. Настоящая работа является первой широкой терминологической рекомендацией по полупроводниковым приборам, и можно надеяться, что она сыграет свою нормализующую и прогрессивную роль. Вместе с тем, эта рекомендация подлежит дополнению и уточнению при последующем ее пересмотре, который может быть проведен на основе дальнейшего изучения и обобщения новых фактических данных в области теории и конструирования полупроводниковых приборов, а также на основе опыта внедрения рекомендуемой терминологии.

***
При рассмотрении видов полупроводниковых приборов выявился ряд признаков, по которым возможно классифицировать эти приборы, например, по применяемым полупроводниковым материалам (германиевые полупроводниковые приборы, селеновые полупроводниковые приборы, кремниевые полупроводниковые приборы и т. д.); по технологии изготовления (сплавные полупроводниковые приборы, выращенные полупроводниковые приборы, диффузионные полупроводниковые приборы, оплавные полупроводниковые приборы и т. д.); по мощности (полупроводниковые приборы малой мощности, полупроводниковые приборы средней мощности и т. д.); по частоте (низкочастотные полупроводниковые приборы, высокочастотные полупроводниковые приборы, сверхвысокочастотные полупроводниковые приборы и т. д.). В данной терминологии в качестве основных признаков классификации и построения определений были приняты физические процессы, происходящие в полупроводниковых приборах, с дополнительным указанием в случае необходимости о назначении прибора. В соответствии с этим полупроводниковые приборы разделены на шесть классификационных групп, охватывающих: 1. Электропреобразовательные полупроводниковые приборы. 2. Фотоэлектрические полупроводниковые приборы, 3. Корпускулярноэлектрические полупроводниковые приборы; 4. Теплоэлектрические полупроводниковые приборы, 5. Тензоэлектрические полупроводниковые приборы, 6. Магнитноэлектрические полупроводниковые приборы. Термины для полупроводниковых приборов, не требующие по своей очевидности определений, например «германиевый полупроводниковый прибор», «высокочастотный полупроводниковый прибор» и т. т., не включены в данную терминологию. Эти и другие термины относятся к видам полупроводниковых приборов, классифицируемых, как сказано выше, по другим признакам. В соответствии с принятой классификацией приборов введены новые, обобщающие термины: «корпускулярноэлектрический полупроводниковый прибор», «теплоэлектрический полупроводниковый прибор», «магнитноэлектрический полупроводниковый прибор», «теплоэлектрический полупроводниковый прибор», которые объединяют соответствующие группы терминов конкретных видов приборов.

***
Ниже даются общие пояснения, относящиеся к публикуемой терминологии. Рекомендуемые термины расположены в систематическом порядке. В первой колонке указаны номера терминов. Во второй колонке помещены термины, рекомендуемые для определяемого понятия. Как правило для каждого понятия установлен один основной рекомендуемый термин, напечатанный полужирным шрифтом. Однако в отдельных случаях наравне с основным термином предлагается параллельный, напечатанный светлым шрифтом. Если параллельный термин является краткой формой основного и не содержит новых терминоэлементов по сравнению с основным термином, то параллельный термин допускается к применению наравне с основным при условии, что исключена возможность каких-либо недоразумений: например, «средняя длина свободного пробега носителей заряда в полупроводнике» и «средний свободный пробег» (65), «длина дрейфа неравновесных носителей зарядов» и «длина дрейфа» (66), «полупроводниковый диод» и «диод» (135). Иногда параллельный термин построен по иному принципу: например, «фоторезистивный эффект» и «внутренний фотоэлектрический эффект» (71), «полупроводниковый фотоэлемент» и «фотогальванический элемент» (158) и др. В этом случае при последующем пересмотре терминологии один из терминов будет, возможно, устранен (в зависимости от внедрения и дополнительной оценки того или иного термина). Во второй колонке помещены также нерекомендуемые термины, особо отмеченные знаком Нрк. Эти термины хотя и применяются в некоторых случаях к определяемому понятию, но не могут быть рекомендованы с точки зрения точности всей терминологической системы. Вместе с тем некоторые из этих терминов, запрещаемые для указанны понятий, являются вполне подходящими для иных понятий, и поэтому применение их в соответственных случаях представляется вполне целесообразным. В этой же колонке помещены в качестве справочных сведений немецкие (D), английские (E) и французские (F) термины, в той или иной мере соответствующие русским терминам. Необходимо отметить, что весьма часто в эти иностранные термины из-за отсутствия установленной терминологии на соответствующих языках различные авторы вкладывают разное содержание. Значение, приписываемое термину тем или иным автором, может расходиться с определением, даваемым в настоящем сборнике. Поэтому некритическое пользование иностранными терминами может привести к недоразумениям, на что следует постоянно обращать внимание. Для некоторых предлагаемых русских терминов отсутствуют соответствующие иностранные термины. В третьей колонке дается определение (или математическая формулировка) понятия. В зависимости от характера изложения определение может изменяться, однако, без нарушения границ самого понятия. Для некоторых понятий даются два определения, принципиально не отличающиеся друг от друга. В этом случае одно из определений начинается словом «иначе». В ряде случаев к определениям даны примечания, имеющие характер пояснения или указывающие на возможность применения соответствующих терминов.
В конце сборника даны алфавитный указатель русских терминов, а также алфавитные указатели на немецком, английском и французском языках.


ПРИМЕРЫ СТАТЕЙ

Полупроводник
D Halbleiter
E Semiconductor
F Semi-conducteur
Вещество, которое по своей удельной электрической проводимости является промежуточным между проводником и диэлектриком и отличается от проводника сильной зависимостью удельной электрической проводимости от температуры и концентрации примесей.
Примечания: 1. Под удельной электрической проводимостью понимается «скалярная величина, характеризующая электропроводность вещества, равная отношению величины плотности тока проводимости к величине напряженности электрического поля»
1. Это определение дано для случая изотропного вещества. В случае анизотропного вещества с линейными свойствами эта величина является тензорной.
2. Удельная электрическая проводимость большинства полупроводников зависит также от различных внешних воздействий (свет, электрическое поле, ионизирующее излучение и др.).

Простой полупроводник
D Einfachhalbleiter
E Simple semiconductor. Pure semiconductor
F Semi-conducteur simple
Полупроводник, основной состав которого образован атомами одного химического элемента.

Сложный полупроводник
D Verbindungshalbleiter. Zusammengesetzter Halbleiter
E Compound semiconductor
F Semi-conducteur composé
Полупроводник, основной состав которого образован атомами двух или большего числа химических элементов.
Примечание. Сложный полупроводник является химическим соединением или сплавом.

Аналогичные товары

Главная | Прайслист | Справка | Контакты | Поиск | Новости
Архив статей | Наши авторы


(c) ETS publishing house, 1997-2002.

edit

Rambler's Top100 Rambler's TopShop Рейтинг@Mail.ru